ASML EUV光源功率飙升，2030年芯片产能将暴涨50%

2月23日，据路透社报道，阿斯麦（ASML）研究人员正式宣布，已成功找到提升EUV光刻机光源功率的关键方法，凭借这一技术突破，到2030年可将全球芯片产量提升多达50%，直接改写先进芯片制造格局。

阿斯麦极紫外（EUV）光源首席技术官迈克尔・珀维斯（Michael Purvis）在接受采访时直言，这项突破绝非噱头：“这不是花拳绣腿，也不是那种只能在极短时间内演示可行的东西，这是一个能在客户实际生产环境的所有相同要求下，稳定输出1000瓦功率的系统。”

要知道，EUV光源作为光刻机的“核心引擎”，是芯片制造中技术难度最高的部分之一，其性能直接决定芯片量产效率与成本。此次ASML实现重大突破，成功将EUV光源功率从目前的600瓦提升至1000瓦，核心目标就是进一步拉开与所有潜在竞争对手的差距，巩固其在EUV光刻机领域的垄断地位。

这项技术突破的核心优势十分突出：更高的光源功率意味着每小时可制造更多芯片，进而大幅降低单颗芯片的生产成本。芯片制造类似“打印”过程，极紫外光照射涂有光刻胶的硅片即可完成电路刻画，而功率翻倍后，芯片厂所需的曝光时间将大幅缩短，量产效率显著提升。

阿斯麦NXE系列EUV光刻机业务执行副总裁滕・梵高（Teun van Gogh）进一步透露，到2030年，升级后的EUV设备每小时可处理约330片晶圆，相较于目前的220片实现大幅提升；而根据芯片尺寸不同，每片晶圆可产出数百到数千颗芯片，产能提升潜力巨大。

据悉，ASML通过强化光刻机中最复杂的部件之一——锡滴发生器，实现了光源功率的跨越式提升。其核心原理是利用大量二氧化碳激光，将锡滴加热成等离子体（超热物质状态），进而让锡离子发出可用于芯片制造的极紫外光，而此次的关键进展的是将锡滴数翻倍至每秒约10万次，并采用两次较小激光脉冲塑形，替代目前的单次塑形技术，实现功率与稳定性双提升。

珀维斯补充道，这项突破难度极高，需要掌握纳米级精准度，融合激光技术、等离子体科学与材料科学三大核心领域。更值得关注的是，此次千瓦级突破只是起点，ASML已看到通往1500瓦的清晰路径，理论上未来突破2000瓦也无根本性障碍，将持续推动芯片制造向更高效率、更低成本迈进。

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